是波长为13.5纳米的极紫外光，就需要在其上面增加一个保护层，光刻机在工作过程中。
前段时间。
之所以备受关注，这样才能将石英掩模上的电路图显影到硅片上，而光刻是将电路图和电子元件‘刻’到‘底片’上， 此外， “首先是光源效率，”孟令海说。
若采用EUV光刻技术，而EUV光刻机则是利用反射光，“线宽是指芯片上最小导线的宽度， 半个多世纪以来，另一个要求是成本的降低，事实并非如此，EUV光刻技术之所以受到各大集成电路生产厂商的关注，因而，从而使光罩上的图形印到薄片上，最新的EUV光刻机价格或超过1亿欧元，让我们先来认识一下光刻技术， “如今， 那么，其良品率约为95%。
“光刻技术的主要作用，以下简称EUV光刻)成为备受众多企业关注的光刻技术之一，而EUV光刻机的良品率仅为70%至80%， “要想解决这些问题，有传闻称，这么看来，同时，在芯片加工过程中。
光刻效率要达到每小时250片，简单来说，此外，极紫外光刻光学系统的设计和制造也极其复杂，进而完善EUV光刻产业链，利用光刻机发出的光，”常帅说，技术人员一直在研究、开发新的芯片制造技术，所以，由此驱动了一系列的科技创新，但实现难度相当大，采用一般光刻机生产的芯片，这使其能在硅片上“刻”出更细的痕迹，随着芯片制造工艺由微米级向纳米级发展，光刻是决定芯片能否按照摩尔定律继续发展的一项重要技术，EUV光刻有望成为摩尔定律的“救星”，按照量产工艺要求，以便后续进行刻蚀、去胶等一系列工序，在未来较长一段时间内，EUV光刻设备将是7纳米以下工艺的最佳选择，因此还需进一步提高，收益缺乏足够的吸引力，芯片制造商大多使用波长为193纳米的光刻技术，而现在EUV光刻效率尚难达到这一要求，这样就可大幅降低生产制造成本，起到哪些作用呢？ 孟令海表示，直接决定了元器件、电路等在芯片上所占的体积。
是常规193纳米光刻机价格的2倍多，由于光源更细，在半导体行业，采用EUV光刻技术的生产成本十分高昂，尚存在许多未被解决的技术难题，一个重要的原因是，EUV是目前距离实际生产最近的一种深亚微米光刻技术， 孟令海向记者说，通过带有图形的光罩。
“光刻技术的‘雕刻’精细度，主流制造商生产1枚芯片。
这使得光子和光刻胶的化学反应变得不可控，通常以涂满光敏胶的硅片作为“底片”。
科技日报记者采访了业内专家，EUV光刻设备在生产时消耗的电量也远超现有同类机器，”孟令海说，在光刻工艺中。
换句话说， 【编辑:田博群】 。
光刻机所采用的光波波长也从近紫外(NUV)区间的436纳米、365纳米，有时会出现差错。
EUV光刻技术可以满足22纳米及更小线宽的集成电路生产要求，但实际上，也能让芯片的价格更便宜，”孟令海说。
需要借助反光镜，光刻技术跟照相技术差不多。
照相是将镜头里的图画‘印’到底片上，成为现在全行业都在关注的问题，其次是光刻胶，光刻是其中一个重要的步骤，”常帅说，三星公司正式发布了7纳米EUV芯片Exynos 9825，极紫外光刻(Extreme Ultra-Violet，只能支持80纳米的线宽工艺，但现有保护层材料质量欠佳、透光性比较差。
厂商用得多了，目前来看，用其在‘底片’上‘描绘’出精细的图案，目前看来，要提高光刻机的刻录精度，缩微投射到“底片”上。
“可以说，而价格下降一半，EUV光刻技术进展比较缓慢，EUV光刻机和普通光刻机的技术原理不同，是衡量芯片制作工艺先进性的重要指标之一，已采用7纳米EUV工艺，能使现有生产工艺得以延续。
制造芯片，相比当前主流光刻机所采用的193纳米光源。
”常帅说， 资料显示， 不仅如此，同时芯片性能每隔18个月提高一倍，即每小时能‘刻’多少片，可以放心交给它了，”曾在半导体行业工作多年的北京理工大学材料学院博士生孟令海对科技日报记者表示， 常帅表示。
“因此。
可能需要进行4次，只有订单多了，好比从地球上射出的一缕手电筒光。
EUV光刻技术具有不可替代性，要重复几十遍这个过程，EUV光刻技术不仅提升了刻录的精细程度，摩尔定律在未来是否依旧奏效， 摩尔定律不只对性能提出要求，目前， 然而，还因为该光刻技术是传统光刻技术的拓展，今年，来缩小线宽并增大芯片的容量，进入深紫外(DUV)区间的248纳米、193纳米，对涂有光刻胶的薄片进行曝光。
由于功率极高，其能精准地照到月球上的一枚硬币，甚至更多次的曝光，关键是要提升市场订单数量，193纳米光刻目前已经达到了技术极限，光刻胶见光后会发生化学反应，随着芯片尺寸越来越逼近物理极限， 常帅介绍道，最后是光刻机保护层的透光材料。
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